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圖 4：連接不同 IGBT、二極管芯片和 DBC 的引線鍵合通過(guò)計(jì)算寄生電感和電阻值，我們可以使用等效一維電路圖來(lái)表示逆變器功率模塊，如圖 5 所示。 在這里，您會(huì)注意到我們已將每個(gè) H 橋部分中存在的三個(gè)并行電流路徑合并為一個(gè)。 因此，我們忽略了這些并聯(lián)電流路徑中連接不對(duì)稱所產(chǎn)生的影響。 IGBT 和二極管使用相同電壓等級(jí)的供應(yīng)商提供的 P-SPICE 電路模型進(jìn)行建模。

Saber提供的IGBT/MOSFET高精度建模工具可以快速準(zhǔn)確地模擬此類開關(guān)器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，實(shí)現(xiàn)電熱耦合分析，損耗分析和故障場(chǎng)景模擬，為器件選型，系統(tǒng)性能提升，系統(tǒng)穩(wěn)定性提升，故障分析提供強(qiáng)大的設(shè)計(jì)支撐，縮短開發(fā)周期，規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，節(jié)約成本。

經(jīng)常選用的功率器件主要有MOSFET或者IGBT等。驅(qū)動(dòng)控制模塊：它的作用是將中央控制模塊的指令轉(zhuǎn)換成對(duì)逆變器中可控硅的通斷指令，并作為保護(hù)裝置，具備過(guò)壓、過(guò)流等故障的監(jiān)測(cè)保護(hù)功能。傳感器：包括電流傳感器、電壓傳感器、溫度傳感器、電機(jī)轉(zhuǎn)軸角位置傳感器等。